Η Samsung Electronics, pinuno ng mundo sa advanced na teknolohiya ng memorya, inihayag ang mass production ng mobile DRAM na may pinakamataas na kapasidad.
Η ang bagong mobile DRAM ay ang unang 4X sa laki ng industriya 12-gigabyte (GB), low power, dual data speed (LPDDR4X) - na-optimize para sa mga premium na smartphone bukas. Sa mas mataas na kapasidad kaysa sa karamihan ng mga ultra-slim na notebook, ang bagong mobile DRAM ay magbibigay-daan sa mga user na sulitin ang lahat ng feature ng isang susunod na henerasyong smartphone.
"Sa paglulunsad ng mass production ng bagong LPDDR4X, kinukumpleto ng Samsung ang isang buong linya ng mga advanced na produkto ng memorya na magpapahusay sa bagong panahon ng mga smartphone, kabilang ang mga solusyon sa storage mula 12GB mobile DRAM hanggang 512GB eUFS 3," sabi ni Sewon Chun, Executive Vice Presidente ng Memory Marketing ng Samsung Electronics. "Bukod dito, kasama ang LPDDR4X, pinalalakas namin ang aming posisyon bilang isang tagagawa ng premium na mobile memory upang epektibong maihatid ang mabilis na lumalagong pangangailangan ng mga tagagawa ng smartphone sa buong mundo."
Salamat sa 12GB na mobile DRAM, maaaring i-maximize ng mga gumagawa ng smartphone ang mga kakayahan ng mga device na may higit sa limang camera, patuloy na lumalaking laki ng screen pati na rin ang artificial intelligence (AI) at 5G functions. Gamit ang bagong 12GB DRAM, ang mga user ng smartphone ay maaaring magsagawa ng maraming gawain nang sabay-sabay at walang putol, maghanap nang mas mabilis, mag-navigate nang walang kahirap-hirap sa pagitan ng maraming application, sa napakalaking mga screen na may mas mataas na resolution. Gayundin, ang manipis na disenyo nito (1.1 mm lang) ay nagsisilbi sa eleganteng, simpleng disenyo ng mga smartphone.
Nakamit ang 12GB na kapasidad gamit ang kumbinasyon ng anim (6) na LPDDR4X chips, 16-gigabit bawat isa, batay sa pangalawang henerasyong pagpoproseso ng 10nm (1y-nm), sa isang pakete, na nagbibigay ng mas maraming espasyo para sa baterya ng smartphone. Bilang karagdagan, gamit ang teknolohiyang 1y-nm ng Samsung, tinitiyak ng bagong 12GB na mobile memory ang mga bilis ng paglilipat ng data na hanggang 34.1GB bawat segundo, habang binabawasan ang hindi maiiwasang pagtaas ng konsumo ng kuryente na dulot ng pagpapalakas ng kapasidad ng DRAM.
Mula nang ilabas ang 1GB mobile DRAM noong 2011, patuloy na pinangungunahan ng Samsung ang mga development sa mobile DRAM market, kasama ang pagpapakilala ng 6GB mobile DRAM noong 2015, 8GB noong 2016 at ang pagpapakilala ng unang 12GB LPDDR4X. Mula sa makabagong linya ng produksyon ng memorya sa Korea, plano ng Samsung na higit sa triple ang supply ng 8GB at 12GB na mga mobile DRAM batay sa 1y-nm, sa ikalawang kalahati ng 2019 upang matugunan ang inaasahang mataas na demand.
Iskedyul ng Produksyon ng Samsung Mobile DRAM: Mass Production
| Petsa | Kapasidad | Mobile DRAM |
| Peb 2019 | 12GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s |
| Hulyo 2018 | 8GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s |
| Abr. 2018 | 8GB (development) | 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb / s |
| Setyembre 2016 | 8GB | 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s |
| Agosto 2015 | 6GB | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s |
| Disyembre 2014 | 4GB | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb / s |
| Setyembre 2014 | 3GB | 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s |
| Nob. 2013 | 3GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s |
| Hulyo 2013 | 3GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s |
| Abr. 2013 | 2GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s |
| Agosto 2012 | 2GB | 30nm-class na 4Gb LPDDR3, 1600Mb / s |
| 2011 | 1 / 2GB | 30nm-class na 4Gb LPDDR2, 1066Mb / s |
| 2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb / s |
| 2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb / s |
ΜHuwag kalimutang sumali (magparehistro) sa aming forum, na maaaring gawin nang napakadali sa pamamagitan ng sumusunod na pindutan…
(Kung mayroon ka nang account sa aming forum hindi mo kailangang sundan ang link sa pagpaparehistro)
Sundan kami sa Telegram!
