Pinapatakbo ng Samsung's 5th generation V-NAND, ang bagong Universal Flash Storage ay nag-aalok ng 20 beses na mas maraming espasyo sa storage kaysa sa 64GB ng internal storage at 10 beses na mas mabilis kaysa sa karaniwang microSD card para sa data-intensive na mga application.
Η Ang Samsung Electronics Co., Ltd., isang nangunguna sa mundo sa advanced na teknolohiya ng memorya, ay inanunsyo ngayon ang mass production ng industriya ng unang sukat ng terabyte, pinagsamang Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 para gamitin sa mga susunod na henerasyong mobile application. Apat na taon lamang pagkatapos ng anunsyo ng unang solusyon sa UFS, ang 128GB eUFS, lumampas ang Samsung sa pinakahihintay na limitasyon ng isang terabyte sa imbakan ng smartphone. Malapit nang ma-enjoy ng mga mahilig sa smartphone ang storage capacity na maihahambing sa isang premium na notebook PC, nang hindi kinakailangang magdagdag ng mga dagdag na memory card sa kanilang mga mobile phone.
"Inaasahan na gaganap ng mahalagang papel ang 1TB eUFS sa paglikha ng na-upgrade na karanasan ng user sa mga susunod na henerasyong mobile device, katulad ng sa mga notebook," sabi ni Cheol Choi, Executive Vice President ng Memory Sales & Marketing sa Samsung Electronics. "Nakatuon din ang Samsung sa pag-secure ng pinaka-maaasahang supply chain at sapat na dami ng produksyon upang suportahan ang pagpapalabas ng mga paparating na flagship smartphone, na may layuning pabilisin ang paglago sa pandaigdigang merkado ng mobile phone."
Pinapanatili ang parehong laki ng package (11.5mm x 13.0mm), dinodoble ng 1TB eUFS solution ang kapasidad ng dating 512GB na bersyon, na pinagsasama ang 16 na layer ng mas advanced na 512GB V-NAND flash memory at isang bagong binuo na proprietary memory controller. Ang mga gumagamit ng smartphone ay makakapag-imbak ng 260 sampung minutong video sa 4K UHD na resolusyon (3840X2160), habang ang karaniwang 64GB eUFS, na ipinapakita ng karamihan sa mga modernong smartphone, ay maaaring mag-imbak ng 13 mga video na may parehong laki.
Ang 1TB eUFS ay napakabilis, na nagbibigay-daan sa mga user na maglipat ng malaki at multimedia na nilalaman sa mas kaunting oras. Sa bilis na hanggang 1.000 megabytes bawat segundo (MB / s), ang bagong eUFS ay may humigit-kumulang dalawang beses sa sunud-sunod na bilis ng pagbasa ng karaniwang 2.5-inch SATA SSD. Nangangahulugan ito na ang 5GB na full HD na mga video ay maaaring ma-download sa isang NVMe SSD sa loob lamang ng limang segundo, na 10 beses na mas mabilis kaysa sa karaniwang microSD card. Bilang karagdagan, ang random na bilis ng pagbasa ay nadagdagan ng 38% kumpara sa 512GB na bersyon, na umaabot sa 58.000 IOPS. Ang mga random na pagpaparehistro ay 500 beses na mas mabilis kaysa sa isang high-performance na microSD card (100 IOPS), na umaabot sa 50.000 IOPS. Ang mga random na bilis ay nagbibigay-daan sa tuluy-tuloy na high-speed shooting sa 960 frames per second at nagbibigay ng pagkakataon sa mga user ng smartphone na sulitin ang mga kakayahan ng multi-camera ng mga modernong device at mga susunod na henerasyong flagship.
Para sa unang kalahati ng 2019, plano ng Samsung na palawakin ang produksyon ng susunod na henerasyong V-NAND 512GB sa planta nito sa Korea para pamahalaan ang mataas na demand para sa pinakahihintay na 1TB eUFS mula sa mga tagagawa ng mobile device sa buong mundo.
[the_ad_group id = ”966 ″]
