Η Pang-araw-araw na Pang-ekonomiya sa Taiwan inaangkin niya iyon ang TSMC nakamit ang isang makabuluhang panloob na pagtuklas para sa huling pagtatapon nito teknolohiya ng lithography 2 nm.
ΣAyon sa publikasyon, ang milestone na ito ay nagpapahintulot sa TSMC na ay optimistiko tungkol sa pagpapatupad ng maagang produksyon na "Risk Production" 2 nm sa 2023.
Kahanga-hanga pa rin ang mga ulat na TSMC na abandunahin ang teknolohiya ng FinFet para sa isang bagong multi-bridge channel field effect (MBCFET) transistor batay sa teknolohiyang Gate-All-Around (GAA). Darating ang mahalagang pagtuklas na ito isang taon pagkatapos ng paglikha ng isang panloob na koponan ng TSMC, na ang layunin ay upang bigyang daan ang pagbuo ng 2 nm lithography.
Pinapalawak ng teknolohiya ng MBCFET ang arkitektura ng GAAFET sa pamamagitan ng pagkuha ng Nanowire field-effect transistor at "pagkalat" nito upang maging isang Nanosheet. Ang pangunahing ideya ay gawing XNUMXD ang field-effect transistor.
Ang bagong komplementaryong metal oxide semiconductor transistor na ito ay maaaring mapabuti ang kontrol ng circuit at bawasan ang kasalukuyang pagtagas. Ang pilosopiyang disenyong ito ay hindi eksklusibo sa TSMC - Samsung planong bumuo ng pagkakaiba-iba ng disenyong ito sa kanilang teknolohiya sa litograpiya 3 nm.
Gaya ng dati, ang karagdagang pagbawas sa sukat ng pagmamanupaktura ng chip ay may malaking halaga. Sa partikular, ang gastos sa pag-unlad para sa 5 nm lithograph ay umabot na sa $ 476 milyon, habang ang Samsung ay nagsasaad na ang teknolohiya GAA ng 3 nm ay nagkakahalaga ng mahigit $500 milyon. Siyempre, ang pagbuo ng lithography 2 nm, ay lalampas sa mga halagang ito...
Huwag kalimutang sundan ito Xiaomi-miui.gr sa Google News upang maipaalam kaagad tungkol sa lahat ng aming mga bagong artikulo!
